pk10开奖结果

长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变

2019-09-26 05:13 次阅读
副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲,披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。

作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破。
 



DRAM技术的发展现状

平尔萱博士在会上表示,我们现在所处的数据社会是在IC的支撑下建立起来的,其中冯诺依曼架构则是这些数据计算的基础。这个架构的一个特点是数据存储在DRAM中,以一定的规则获取存储器中的数据,并进行运算,然后将结果通过外围设备,比如呈现出来。

“随着数据量的增加,处理数据的能力要加强,因此需要强大的CPU,同时存储器的数据容量也要增强,并且读写速度也要增加。因此近来对DRAM的要求也必须持续提高。DRAM的前景是十分看好”,平尔萱博士强调。IBS首席执行官 Handel Jones日前在上海出席一场技术论坛时也表示,DRAM将于2020年迎来复苏,增长9.87%,这也从侧面印证了平博士的观点。

平博士在会上介绍道,所谓DRAM,是基于电容存储电荷为原理的紧密铺排的阵列。这个阵列通过一系列外围管理从而读写里面存储的数据。自上世纪60年代发明以来,DRAM容量和尺寸获得了飞速的发展。与过往相比,今天,一个面积小于指甲盖的DRAM里可容纳80亿存储单元,按照8个存储单元存储一个字母,那就意味着一个芯片可能存8亿个字母。并且这些数据可以以6Gb/sec 的速度,在几秒内完成读写。而在这些改变背后,是DRAM技术多次“进化”的结果。

从平博士的介绍我们得知,DRAM技术在发明之后的几十年里,经历了从早期简单的平面结构,变化成为了向空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。这主要与容量的提升需求和制造方法的局限性有关。

平博士解释道,早期的DRAM芯片,由于比较大,因此有足够的平面面积可制造出足够的电容值。然而随着线宽的减少,表面积逐渐减少,过往的技术不能满足所需电容值,因此DRAM开始走向空间结构,争取更多的表面积,演变出向上和向下两种技术发展路线,并且共存了接近三十年。而最终以堆叠式架构胜出。

“造成这个结局的一个重要原因是沟槽式架构面临几个技术难点:其一是沟槽式只限于单面表面积,堆叠式可用双面表面积,沟槽式架构很快就达到了刻蚀深宽比极限;其二是高介质材料的应用受到沟槽式中高温制程的限制。传统材料SiO ,Al2O3可以在高温下有低漏电的特性,因此比较适合沟槽式架构,但像HfO,ZrO这些高介解常数材料漏电在高于600℃的温度下增加许多,不能用于沟槽式架构中需高温处理的三极管制造中。”

平博士还提到,在DRAM技术的演进过程中,曾经的DRAM巨头奇梦达提出的埋入式电栅三极管概念也给整个产业带来巨大的贡献。他表示,这个技术同样是利用空间,将三极管的性能提升,这种提升随着线宽的减少越来越被需要。而近代DRAM产品都沿用这个概念。

“回看堆叠式架构的发展历史以及展望将来的发展趋势就可以发现,现在DRAM沿用密集排布电容及埋入式字线三极管,乃至今后3-5代DRAM”,平博士说。

DRAM未来的发展探索

在谈到DRAM技术未来的发展时,平博士首先强调,DRAM是有它的极限的。我们通过改进,可以将极限推迟。如导入E及HKMG三极管以缩小线宽及加强外围电路性能,就是DRAM产业的一个选择,这在未来几年将可以维持DRAM技术发展,满足大数据时代的需求。

首先在EUV方面,平博士指出,EUV是继193纳米 Immersion Scanner后又一个光刻机革命。它可满足工艺精准度在持续微缩中不断增加的要求。而DRAM又是一个十分密集堆叠的设计,且对信号要求十分严格,任何小的偏离都会对信号造成损失。那就意味着EUV技术的出现对DRAM技术的延展有很大的作用:如将线宽进一步减少以增加存储密度。

“EUV主要是针对阵列。但外围线路的增强及微缩也是近来DRAM技术发展的另一个机会”,平博士补充说。

他表示,在DRAM几乎一半的外围线路中,有一半是逻辑线路用的。在过往,这部分的CMOS一直都是用传统的SiON/Poly Si Gate堆栈的。但这个堆栈在32/28纳米阶段碰到了瓶颈:一方面是SiON厚度已到极限,不能再薄了;另一方面,Poly Si作为半导体材料,导电率也不足了,出现了严重的性能不足。如在高端的图显DDR中,芯片性能速度明显不足,这就需要引进更先进的HKMG CMOS提供更好性能。随着DDR5的到来,HKMG CMOS的使用会越来越现实。

“由于DRAM制程中有电容这一段,因此HGMG制程的选择需与电容制程匹配。所谓的Gate First制程就可被选择为DRAM逻辑线路CMOS制程”,平博士说。他进一步表示,通过引入HKMG,不但可以推动存储密度进一步提高,速度也同步获得了提升。

“为了继续发展DRAM技术,我们还需要在新材料、新架构上进行更多探索,并与相关企业进行合作”,平博士说。他最后指出,回顾过去几十年的DRAM发展,证明IDM是发展DRAM的必然选择,而这正是长鑫存储从一开始建立就坚持的。

从平博士的介绍中我们可以看到,基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才,长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现的新技术探索。

pk10开奖结果 正如前面所述,这些技术将会给DRAM带来一个巨大的提升。这也会让长鑫存储有机会从一个技术追随者转变为一个技术并驾齐驱、甚至全球领先的中国DRAM玩家。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

连续经历N个月下跌后 DRAM内存芯片价格暂时平稳

连续经历N个月下跌后,DRAM内存芯片的价格在8月和9月份保持了基本稳定。DRAMeXchange采....
发表于 10-13 15:52 32次 阅读
连续经历N个月下跌后 DRAM内存芯片价格暂时平稳

Trendforce:2020十大科技趋势揭晓 5G、AR和ToF成为市场热点

全球市场研究机构集邦咨询针对2020年科技产业发展,整理十大科技趋势,其中亮点有AI、5G、车用“三....
发表于 10-11 09:18 2652次 阅读

到2021年,国内存储企业将无后顾之忧

根据国内存储企业在武汉、合肥、成都、南京和重庆五地的计划产能及产品发展路线。这些数字清楚地表明,从现....
的头像 渔翁先生 发表于 10-10 09:30 1765次 阅读

兆易创新拟定增43亿元筹划DRAM芯片自研及产业化项目

9月23日,北京兆易创新科技股份有限公司(以下简称“兆易创新”)在股票交易异常波动公告中表示,拟定增....
的头像 半导体动态 发表于 10-08 16:17 392次 阅读

2018年全球前十大SSD模组厂品牌排名,金士顿、威刚、金泰克稳居前三大

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新2018年全球SSD模组厂自有品牌在渠道市....
发表于 10-04 00:56 2880次 阅读

2019年第二季度:内存业务即将触底

虽然我们预计还会有几个季度的价格下跌,但复苏的焦点正变得更加清晰。
发表于 10-01 08:02 205次 阅读
2019年第二季度:内存业务即将触底

       80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑...
发表于 09-25 07:38 43次 阅读

合肥长鑫集成电路制造基地项目落户合肥空港经济示范区 总投资超过2200亿元

9月21日,在2019世界制造业大会上,合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华....
的头像 半导体动态 发表于 09-23 16:16 2021次 阅读

长鑫存储副总裁披露DRAM技术发展现状和未来趋势

昨日,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中....
的头像 半导体动态 发表于 09-20 16:06 765次 阅读

长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产 一期设计产能每月12万片晶圆

20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣....
的头像 半导体动态 发表于 09-20 15:57 523次 阅读

DRAM产业一掷千金 “存储教父”高启全能否扛起万亿重担

台湾的DRAM产业发端于1983年与美国合作研发内存,到2006年,台湾仅存六家DRAM厂商,其中三....
发表于 09-19 15:26 34次 阅读
DRAM产业一掷千金 “存储教父”高启全能否扛起万亿重担

长鑫存储亮相闪存技术峰会 引领中国DRAM技术突破

作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的D....
发表于 09-19 10:26 53次 阅读
长鑫存储亮相闪存技术峰会 引领中国DRAM技术突破

NOR Flash产能吃紧,逆市上扬

同样是存储器芯片,DRAM产品的价格在持续下行,市场一片冰天雪地;而NOR Flash产品则在需求持....
的头像 荷叶塘 发表于 09-18 17:19 6320次 阅读

关于存储额知识 回顧歷史,存儲介質按物理材料可以分成三大類:光學存儲介質、半導體存儲介質和磁性存儲介質。詳細的如下圖;...
发表于 09-18 09:05 167次 阅读

嵌入式系统中的存储器有什么特点

SRAM表示静态随机存取存储器,只要供电它就会保持一个值,它没有刷新周期,由触发器构成基本单元,集成....
发表于 09-11 16:26 109次 阅读
嵌入式系统中的存储器有什么特点

美光推出内容量最高的单片式的LPDDR4X DRAM

美光科技股份有限公司推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) ....
发表于 09-10 10:28 622次 阅读

威刚8月合并营收较7月成长14.04% 有机会迎接至第四季的存储器补货潮

受惠DRAM及NAND Flash合约价在7月底与8月底分别落底反弹,存储器模组厂威刚科技营运持续升....
的头像 半导体动态 发表于 09-06 14:43 490次 阅读

关于DRAM芯片战争的简介和分析

综观台湾DRAM产业发展三十年来,最终落得一地鸡毛。究其根源,在于台湾省政府盲目听信美国主导的自由市....
的头像 半导体科技评论 发表于 09-05 14:42 437次 阅读

时值DRAM仍供过于求,美光在台湾加码投资

据消息报道,全球第三大DRAM厂美光(Micron)将在台湾加码投资,要在现有厂区旁兴建2座晶圆厂,....
发表于 09-05 11:08 672次 阅读
时值DRAM仍供过于求,美光在台湾加码投资

关于DRAM的性能分析和发展

液体冷却是让绝缘矿物油流经组件的冷却方法。据 IEEE Spectrum 2014 年的一篇文章称,....
的头像 半导体科技评论 发表于 09-04 10:26 1202次 阅读

美光回应于台中的无尘室将有助于推进台湾美光现有晶圆产能DRAM制程转换

美国存储器大厂美光(Micron)对于台湾地区台中厂扩建一案提出正式回应说明。美光表示,如同美光于公....
的头像 半导体动态 发表于 09-03 16:23 965次 阅读

新型超低功耗存储器或将取代DRAM和Flash

业界普遍认为未来从数据中将能挖掘出最大的价值,但要挖掘数据的价值除了需要很强的计算能力之外,数据的存....
发表于 09-03 10:40 174次 阅读
新型超低功耗存储器或将取代DRAM和Flash

紫光加持DRAM 行业正在回暖

8月27日,重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。紫光集团将在重庆建设包括D....
发表于 08-30 14:21 161次 阅读
紫光加持DRAM 行业正在回暖

中国存储芯片逐渐起步 可望逐渐降低对外国存储芯片的依赖

在早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后,近日合肥长鑫也宣布已解决DRAM芯片....
发表于 08-30 14:08 246次 阅读
中国存储芯片逐渐起步 可望逐渐降低对外国存储芯片的依赖

紫光集团将在重庆建设DRAM总部研发中心及芯片制造工厂 开始进军DRAM领域

继6月底宣布组建DRAM事业群后,日前紫光集团DRAM开始落地工厂建设。8月27日,重庆市政府与紫光....
的头像 半导体动态 发表于 08-28 16:46 979次 阅读

全球2Q19 DRAM市场下跌9% NAND闪存持平

DRAMeXchange数据显示,第二季度全球DRAM存储器产业的产值连续下降9%,而NAND闪存业....
发表于 08-21 09:24 2572次 阅读

美光开始量产1z nm工艺节点的DRAM内存

美光科技(Micron)16日宣布进一步推动DRAM产品的革新,其开始采用业界首个1z nm的工艺节....
的头像 渔翁先生 发表于 08-20 10:22 3010次 阅读

美光科技正式宣布将采用第3代10纳米级制程生产新一代DRAM

根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布....
的头像 半导体动态 发表于 08-19 15:45 621次 阅读

日韩贸易争端引7月份DRAM现货价反弹 研调单位仍保守看合约市场

6月东芝停电事件,加上7月开始日韩贸易战延烧,推动了已跌到亏损流血的NAND Flash现货价率先反....
的头像 半导体动态 发表于 08-16 17:03 539次 阅读

大陆存储发展要如何才能有效的避免落得血本无归

2018年,全球DRAM市场规模为1000亿美元,其中三星、SK海力士、美光三大巨头市场占有率超过9....
发表于 08-16 09:10 1169次 阅读

日韩纷争下的DRAM产品市场应何去何从?

众所周知,2017年正是凭借存储产品的强势,使得韩国半导体迎来了高光时刻,尤其是其存储产品更是独占鳌....
发表于 08-16 07:07 616次 阅读
日韩纷争下的DRAM产品市场应何去何从?

贸易战争不断升温,半导体产业何去何从?

短期上述美中、日韩贸易战的纠葛,对于半导体业来说利弊并存,同时供应链依旧存在高度不确定性
的头像 C114通信网 发表于 08-15 17:16 776次 阅读

S32V234视觉和传感器融合处理器的数据手册免费下载

XP Semiconductors S32V234视觉和传感器融合处理器旨在为图像处理用计算密集型应....
发表于 08-14 08:00 189次 阅读
S32V234视觉和传感器融合处理器的数据手册免费下载

DRAM公司告诉英特尔他们在承诺Rambus之前需要有约束力的订单

SAN JOSE - 参加英特尔公司匆忙召集的Direct Rambus承诺会议的DRAM制造商告诉....
的头像 PCB线路板打样 发表于 08-13 11:10 953次 阅读

SK海力士计划明年开始量产HBM2E DRAM

SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比,新款HBM2E拥有....
的头像 渔翁先生 发表于 08-13 09:28 2174次 阅读

记忆体模组厂2Q表现各异 下半年冲刺市况回温

尽管第2季记忆体位元出货量成长,但受到市场报价持续下跌,记忆体模组厂营运挑战增加,但各家业者在不同策....
发表于 08-12 10:14 2004次 阅读

行业 | 紫光集团组建DRAM事业群,刁石京任事业群董事长

紫光集团发展公告,公告显示,经研究决定,决定组建紫光集团DRAM事业群,委任刁石京为紫光集团DRAM....
的头像 传感器技术 发表于 08-08 17:54 639次 阅读

内存芯片市场低迷 三星推迟30万亿韩元的DRAM工厂计划

尽管内存现货价格上周涨了23%,但是调研公司盖特纳的报告显示全球半导体市场今年会继续降温,产值只有4....
的头像 三星半导体互动平台 发表于 08-05 17:37 1006次 阅读

Q3季度下旬显卡价格将调整 或因DRAM颗粒涨价而上调价格

随着XFX讯景上周发布首款非公版RX 5700 XT黑狼显卡,AMD今年在中高端显卡市场上的竞争优势....
发表于 08-05 14:17 218次 阅读
Q3季度下旬显卡价格将调整 或因DRAM颗粒涨价而上调价格

三星电子 目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算

虽然日本限制关键科技原料出口至韩国,对业界投下震撼弹,但三星电子(Samsung Electroni....
的头像 投资界 发表于 08-03 11:55 1670次 阅读

基于个人经验对 Arduino 入门套件作了相关介绍,开启创客世界大门

ATmega328P 处理器是一款低功耗 8 位微控制器,采用增强型精简指令集计算机 (RISC) ....
发表于 08-02 11:08 3006次 阅读

三星宣布将量产全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司将量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解,三星12Gb LPD....
的头像 半导体动态 发表于 07-31 15:45 824次 阅读

DRAM和SRAM的区别

RAM代表随机存取存储器。随机访问是能够以与该存储器设备中的任何其他元件一样快速且容易地访问存储设备....
的头像 39度创意研究所 发表于 07-30 14:13 1327次 阅读

展望市场:关于Fab设备投资、生产设备、材料的预测

半导体业界的现状
的头像 北京市电子科技情报研究所 发表于 07-30 09:39 948次 阅读

对于数据中心架构师而言,这似乎是一个简单的问题。对于从电子商务平台背后的数据库、搜索引擎中的大数据工具、突然流行的数据分...
发表于 07-30 06:09 104次 阅读

贸易战,存储芯片产业未来将会怎样?

Memory产业自18年下半年以来跌跌不休,产能产出顺利而需求疲软。
的头像 ssdfans 发表于 07-29 15:09 738次 阅读

DRAM降产,NAND投入减少逾15% SK海力士Q2同比下跌88%

尽管智能手机/服务器市场正在恶化,但对PC市场的需求正在复苏。 存储器制造商韩国SK海力士于26日(....
发表于 07-29 11:03 1827次 阅读

日韩贸易战延烧,存储价格将反弹至11月

先前因东芝停电事件加上7月初,日本政府对南韩出口管制3项关键电子材料,带动NAND Flash及DR....
的头像 半导体前沿 发表于 07-29 08:36 927次 阅读

SK海力士收益下降,但仍看好市场前景

SK海力士已经发现内存和NAND芯片供过于求的迹象,但日韩贸易争端正在威胁和影响到制造芯片所需的市场....
的头像 存储社区 发表于 07-27 09:32 991次 阅读

利润大跌,SK海力士因日本出口管制拟减产闪存

7月25日,SK海力士公布截至2019年6月30日的2019年第二季度财务业绩数据显示,该季度营收为....
的头像 芯头条 发表于 07-27 09:19 885次 阅读

今年半导体在电子系统占比将下降至26.4%

根据调研机构IC Insight报告指出,预计在2019年全球电子系统市场将增长4%至1.68万亿美....
的头像 半导体资讯 发表于 07-26 16:43 875次 阅读

受多重因素影响,2019年全球半导体营收将下滑9.6%

国际研究暨顾问机构Gartner预测,2019年全球半导体营收总计4,290亿美元,较2018年的4....
的头像 中国半导体论坛 发表于 07-26 15:59 658次 阅读

经COTS Journal 2003年12月许可重印
发表于 07-11 14:31 176次 阅读

[tr]C6748板,跑以太网,ping 长度为1400的包,延时4ms,同样的以太网芯片在stm32下,延时1ms,而C6748主频400M,浮点DSP,...
发表于 07-04 08:29 509次 阅读

在数据线和芯片连接点阻抗不一样,产生电信号反射,成为噪声,在高速电路中影响很大。 如下图,BUS上有两个DRAM,一个接...
发表于 05-23 07:59 154次 阅读

作者:Markus Levy 经Reed Electronics Group许可后发布。最初发表于2003年7月14日的微处理器报告。...
发表于 05-16 10:38 194次 阅读

你好 最近我一直在研究如何在ZedBoard中使用AXI_DMA核心。 我正在使用s2mm通道以分散聚集模式将数据传输到DRAM。 ...
发表于 04-09 11:53 241次 阅读

TS201的核电压1。05V,I/O电压2.5V,DRAM电压1.5V的上电顺序应该谁先谁后啊?如果两个电压间隔几十ms建立可不可以? ...
发表于 03-08 08:04 306次 阅读

比如L4+我知道SRAM和寄存器是能正常供电的,但是DRAM stop模式下是正常供电的吗??...
发表于 01-15 08:19 438次 阅读
电子发烧友 华秋开发
APP 网站地图
document.write ('');